技術層面，干法刻蝕是目前主流，原子層刻蝕為未來方向刻蝕技術按工藝分類可分為濕法刻蝕和干法刻蝕，由于在刻蝕率、微粒損傷等方面具有較大的優勢，干法刻蝕是目前主流技術。按被刻蝕材料特性不同，目前常用的方法可分為離子束刻蝕、等離子體刻蝕和反應離子刻蝕，其中電容性等離子體刻蝕(CCP)和電感性等離子體刻蝕(ICP)兩種刻蝕設備基本覆蓋目前主要的刻蝕應用。不過隨著半導體制程的不斷縮小，受光波長限制，關鍵尺寸無法滿足要求，必須采用多重模板工藝，重復多次薄膜沉積和刻蝕工序以實現更小的線寬，使得薄膜沉積和刻蝕次數顯著增加，10 納米工藝和7 納米工藝所需刻蝕步驟更是超過100 次。原子層刻蝕能夠精密控制被去除材料量而不影響其他部分，能較好解決等離子刻蝕刻蝕速率差異與下層材料損傷等問題，未來有望發展為新一代主流刻蝕技術。

市場層面，刻蝕設備行業集中度高，發展空間廣闊2021 年中國大陸以296 億美元設備銷售額連續第二年成為全球半導體設備最大市場，目前全球半導體設備市場主要被國外企業占據，2021 年全球前十五大半導體設備廠商排名中僅有ASM Pacific Technology 來自中國香港，排名第14 位。設備投資額方面，刻蝕設備在晶圓加工設備投資中占比22.14%，是半導體產業中“第一大設備”。目前全球刻蝕設備行業的龍頭企業仍然為泛林半導體、東京電子和應用材料三家，2020 年三家企業合計市場份額占到了全球刻蝕設備市場的90%以上，其中泛林半導體獨占44.7%的市場份額。根據SEMI 的預測，2022 年全球半導體設備市場規模將達到1140 億美元，我們預計2022 年全球刻蝕設備規模將達到250.8 億美元，國內刻蝕設備市場規模將達到75.24 億美元。

未來看點：先進制程不斷突破，國產替代未來可期2014 年9 月成立的大基金一期經過5 年投資布局目前已進入回收期，在大基金助力下，國內刻蝕設備企業已實現部分先進制程突破，涌現出一批技術領先的龍頭企業。大基金二期成立于2019 年10 月22 日，注冊資本為2041.5億元，接力一期進行投資布局，我們預測，其重點可能傾斜設備和材料方向，將對包括光刻機、刻蝕機、薄膜設備、測試設備等領域企業提供進一步支持，幫助龍頭企業鞏固自身市場地位。預計將會帶動萬億級別社會投資。從下游應用來看，目前我國5G 建設仍處于高速發展階段，考慮到“雙碳”政策下鋰電、光伏需求長期向好，看好國內先進制程閉環供應加速建設，我們認為刻蝕設備具備較大投資價值。